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반도체 소자 및 이를 이용한 메모리 장치
| 특허명 | 반도체 소자 및 이를 이용한 메모리 장치 | ||
| 출원인 | 고려대학교 산학협력단 | 출원일 | 2019년 11월 25일 |
| 공개일 | 2021년 6월 3일 | 공고일 | - |
| 요약 |
반도체 소자 및 이를 이용한 메모리 장치에 관한 것으로, 반도체 소자는 게이트 산화층, 상기 게이트 산화층의 극성에 따라서 전하의 양과 극성이 조절되는 채널 및 상기 게이트 산화층 및 상기 채널 사이에 배치된 패시베이션 층을 포함할 수 있다.
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관련 특허
| 특허명 | 출원일 | ||
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