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페로브스카이트 광전소자 및 이의 제조방법
| 특허명 | 페로브스카이트 광전소자 및 이의 제조방법 | ||
| 출원인 | 고려대학교 산학협력단 | 출원일 | 2019년 11월 26일 |
| 공개일 | 2021년 6월 3일 | 공고일 | 2021년 6월 7일 |
| 요약 |
본 발명은 페로브스카이트 광전소자 및 이의 제조방법을 개시한다. 본 발명의 실시예에 따른 페로브스카이트 광전소자는 제1 전극; 상기 제1 전극 상에 형성된 정공 전달층; 상기 정공 전달층 상에 형성되고, 제1 페로브스카이트 화합물로 형성된 페로브스카이트층; 상기 페로브스카이트층 상에 형성된 전자 전달층; 상기 전자 전달층 상에 형성된 제2 전극; 및 상기 페로브스카이트층의 적어도 일면에 형성되고, 제2 페로브스카이트 화합물로 형성된 경사 벽(graded-wall)을 포함하고, 상기 제1 페로브스카이트 화합물 및 상기 제2 페로브스카이트 화합물은 하기 화학식 1로 표시되며, 상기 경사 벽의 밴드 갭 에너지는 상기 페로브스카이트층의 밴드 갭 에너지보다 커서 상기 페로브스카이트층의 엑시톤을 구속하는 것을 특징으로 한다. [화학식 1] A a M b X c (상기 화학식 1에서, A는 1가의 양이온이고, M은 2가 또는 3가의 금속 양이온이며, X는 1가의 음이온이고, M이 2가의 금속 양이온일 때 a+2b=c, M이 3가의 금속 양이온일 때 a+3b=c이며, a, b, c는 자연수임.)
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관련 특허
| 특허명 | 출원일 | ||
|---|---|---|---|
| 페로브스카이트 광전소자 및 이의 제조방법 | 2019년 8월 8일 | ||
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