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인광 물질, 이의 제조방법 및 이를 구비한유기발광다이오드 소자
| 특허명 | 인광 물질, 이의 제조방법 및 이를 구비한유기발광다이오드 소자 | ||
| 출원인 | 엘지디스플레이 주식회사|고려대학교 산학협력단 | 출원일 | 2007년 3월 2일 |
| 공개일 | 2008년 9월 5일 | 공고일 | 2014년 7월 9일 |
| 요약 |
인광 물질, 이의 제조방법 및 이를 구비한 유기발광다이오드 소자에 관하여 개시한다. 인광물질은 금속착체 화합물에 카바졸기를 화학적으로 결합시켜 인광물질의 용융성과 호스트 물질과의 혼화성을 향상시켰다. 이로써, 유기발광다이오드 소자의 유기발광층을 진공증착공정 또는 습식공정을 통해 형성이 가능하며, 우수한 막 특성을 가질 수 있다. 따라서, 유기발광다이오드 소자의 발광 효율 및 수명을 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라, 용이한 공정을 통해 제조할 수 있어 유기발광다이오드 소자의 생산 효율을 향상시킬 수 있다. 인광, 카바졸, 유기발광다이오드, 효율, 수명
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관련 특허
| 특허명 | 출원일 | ||
|---|---|---|---|
| 유기 화합물과 이를 포함하는 유기발광다이오드 및 유기발광 표시장치 | 2016년 11월 30일 | ||
| 신규한 발광 덴드리머, 이의 중간체 및 이의 제조 방법. | 2006년 12월 27일 | ||
| 유기 화합물, 이를 포함하는 유기발광다이오드 및 유기발광장치 | 2020년 9월 3일 | ||
| 유기 화합물, 이를 포함하는 유기발광다이오드 및 유기발광장치 | 2019년 7월 17일 | ||
| 유기 화합물, 이를 포함하는 유기발광다이오드 및 유기발광장치 | 2019년 8월 2일 | ||
