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고감도 온도 센서 및 이의 제조방법
| 특허명 | 고감도 온도 센서 및 이의 제조방법 | ||
| 출원인 | 고려대학교 산학협력단 | 출원일 | 2019년 10월 21일 |
| 공개일 | 2021년 4월 29일 | 공고일 | 2021년 6월 17일 |
| 요약 |
본 발명은 고감도 온도 센서 및 이의 제조방법을 개시한다. 본 발명의 실시예에 따른 고감도 온도 센서의 제조방법은 팽창기판 상에 제1 유기 리간드로 둘러싸인 전도성 나노 입자를 포함하는 제1 나노 입자층을 형성하는 단계; 상기 제1 나노 입자층의 제1 유기 리간드를 제2 유기 리간드로 치환하여 크랙을 포함하는 제1 온도 감지층을 형성하는 단계; 상기 제1 온도 감지층 상에 포토레지스트를 도포 및 식각하여 상기 제1 온도 감지층이 노출된 영역 및 상기 포토레지스트가 잔류한 영역을 형성하는 단계; 상기 제1 온도 감지층 상에 상기 제1 유기 리간드로 둘러싸인 전도성 나노 입자를 포함하는 제2 나노 입자층을 형성하는 단계; 상기 제2 나노 입자층의 제1 유기 리간드를 무기 리간드로 치환하여 전극층을 형성하는 단계; 상기 제1 온도 감지층 상의 상기 포토레지스트가 잔류한 영역을 제거하여 전극 및 제1 온도 감지부를 형성하는 단계; 상기 전극 및 상기 제1 온도 감지부 상에 제1 유기 리간드로 둘러싸인 전도성 나노 입자를 포함하는 제3 나노 입자층을 형성하는 단계; 상기 제3 나노 입자층의 제1 유기 리간드를 상기 제2 유기 리간드로 치환하여 크랙을 포함하는 제2 온도 감지층 및 제2 온도 감지부를 형성하는 단계; 및 상기 제2 온도 감지부 상에 보호층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
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관련 특허
| 특허명 | 출원일 | ||
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