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가변 저항체, 이를 이용한 비휘발성 메모리 장치 및 이들의 제조 방법
| 특허명 | 가변 저항체, 이를 이용한 비휘발성 메모리 장치 및 이들의 제조 방법 | ||
| 출원인 | 에스케이하이닉스 주식회사|고려대학교 산학협력단 | 출원일 | 2011년 11월 29일 |
| 공개일 | 2013년 6월 7일 | 공고일 | 2019년 8월 21일 |
| 요약 |
본 발명은 가변 저항체, 이를 이용한 비휘발성 메모리 장치 및 이들의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 애노드 전극 및 캐소드 전극; 상기 애노드 전극과 상기 캐소드 전극 사이의 CdS 나노 스케일 입자들을 포함하는 가변 저항층; 및 상기 가변 저항층 내부의 초기 금속 원자 확산층을 포함하며, 상기 캐소드 전극에 대해 상기 애노드 전극에 상대적으로 양의 전압을 인가하는 것에 리셋 동작이 수행되고, 상대적으로 음의 전압을 인가하는 것에 의해 셋 동작이 수행되는 양극성 스위칭 구동되는 가변 저항체가 제공된다.
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관련 특허
| 특허명 | 출원일 | ||
|---|---|---|---|
| 반도체 소자 | 2016년 9월 26일 | ||
| 단일 나노 공극 구조를 이용한 산화물 기반 저항 스위칭 메모리 소자 및 그 제조 방법 | 2017년 3월 15일 | ||
| 압력 측정 장치 및 그의 제조 방법 | 2018년 2월 26일 | ||
| 전도성 필라멘트가 형성된 투명 전극을 포함하는 반도체 장치 및 이의 제조 방법 | 2015년 7월 23일 | ||
| 투명 기판 또는 플렉시블 기판을 이용한 투명 또는 플렉서블한 비휘발성 메모리 소자 제조 방법 | 2012년 4월 6일 | ||
