기술 검색
광 활성 이온채널장치 및 이의 제조방법
| 특허명 | 광 활성 이온채널장치 및 이의 제조방법 | ||
| 출원인 | 고려대학교 산학협력단 | 출원일 | 2018년 1월 31일 |
| 공개일 | None | 공고일 | 2019년 7월 30일 |
| 요약 |
개시된 본 발명에 의한 광 활성 이온채널장치는, 제1전해질을 지지하는 제1지지부, 제1지지부에 적층되며 제2전해질을 지지하는 제2지지부, 제1 및 제2지지부 사이에 마련되며 복수의 기공(stomata)이 형성되는 멤브레인부 및 제1 및 제2전해질 사이에 전압을 인가하여 전류를 측정하는 전원부를 포함하며, 멤브레인부는 빛에 의해 유도 가능한 아조(AZO)계 폴리머로 형성된다. 이러한 구성에 의하면, 실온에서도 저전력으로 빛에 의한 빠른 응답성을 가질 수 있게 된다.
|
||
전문 PDF
관련 특허
| 특허명 | 출원일 | ||
|---|---|---|---|
| 자가 발전 이온채널장치 | 2018년 1월 31일 | ||
| 동적 레지듀 증폭기 및 이를 포함하는 파이프라인 아날로그-디지털 변환기 | 2018년 7월 30일 | ||
| 유기 발광 다이오드의 품질 검사 방법 및 이를 수행하기 위한 유기 발광 다이오드의 품질 검사 장치 | 2014년 10월 10일 | ||
| 금속 나노스프링 및 이의 제조방법 | 2017년 5월 15일 | ||
| 박막 트랜지스터 | 2016년 9월 21일 | ||
