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반도체 나노와이어 광전 소자
| 특허명 | 반도체 나노와이어 광전 소자 | ||
| 출원인 | 고려대학교 산학협력단 | 출원일 | 2017년 10월 27일 |
| 공개일 | None | 공고일 | 2019년 2월 19일 |
| 요약 |
본 발명은 광전 반도체 나노와이어 소자 및 그 제조방법을 제공한다. 이 광전 반도체 나노와이어 소자는, 제1 도전형으로 도핑되고, 적어도 하나의 다공성 반도체 세그먼트를 구비하고 상기 다공성 반도체 세그먼트의 양단에 연결되는 결정질 반도체 세그먼트들을 포함하는 반도체 나노와이어; 및 상기 다공성 반도체 세그먼트를 중심으로 상기 결정질 반도체 세그먼트에 각각 배치되어 전기적 연결을 제공하는 제1 전극 및 제2 전극;을 포함한다. 상기 결정질 반도체 세그먼트는 결정질 반도체이고, 상기 다공성 반도체 세그먼트는 다공성 반도체이다. 외부 광이 상기 다공성 반도체 세그먼트에 조사된 경우, 상기 반도체 나노와이어는 상기 외부 광의 세기에 따라 전류를 제공한다.
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