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금속이온이 도핑된 질화갈륨 양자점의 제조방법
| 특허명 | 금속이온이 도핑된 질화갈륨 양자점의 제조방법 | ||
| 출원인 | 고려대학교 산학협력단 | 출원일 | 2018년 10월 12일 |
| 공개일 | 2020년 4월 23일 | 공고일 | - |
| 요약 |
본 출원은 질화갈륨 양자점의 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 순수한 질화갈륨의 형광 에너지를 금속이온을 도입하여 낮출 수 있는 습식 기반 합성법을 이용한 금속이온이 도핑된 질화갈륨 양자점의 제조방법에 관한 것이다.
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| 특허명 | 출원일 | ||
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