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전계 효과 트랜지스터 소자 및 이의 제조 방법
| 특허명 | 전계 효과 트랜지스터 소자 및 이의 제조 방법 | ||
| 출원인 | 고려대학교 산학협력단 | 출원일 | 2009년 2월 27일 |
| 공개일 | 2010년 9월 6일 | 공고일 | 2011년 6월 24일 |
| 요약 |
본 발명은 전계 효과 트랜지스터 소자 및 이의 제조 방법을 개시한다. 본 발명은 (a) 기판 상에 유기 반도체층, 소스 전극 및 드레인 전극을 증착하는 단계; (b) 상기 유기 반도체층, 소스 전극 및 드레인 전극 상부에 패시베이션층을 증착하는 단계; (c) 리쏘그라피(lithography) 공정을 통해 상기 패시베이션층 상부에 채널 영역 형성을 위한 미세 패턴을 전사하는 단계; 및 (d) 상기 미세 패턴에 따라 상기 패시베이션층 및 유기 반도체층을 식각하는 단계를 포함한다. 본 발명에 따르면, 유기 반도체층 상부에 패시베이션층을 증착하여 미세 패터닝이 가능하며, 유기 반도체층의 안정성을 높일 수 있는 장점이 있다. 유기 반도체, 펜타신, 패시베이션, 알루미나, 증착, 전계 효과 트랜지스터
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관련 특허
| 특허명 | 출원일 | ||
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