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반도체 발광소자 제조 방법
| 특허명 | 반도체 발광소자 제조 방법 | ||
| 출원인 | 고려대학교 산학협력단 | 출원일 | 2010년 5월 25일 |
| 공개일 | 2011년 12월 1일 | 공고일 | 2012년 1월 5일 |
| 요약 |
본 발명은 질화물 기반 반도체소자의 광추출 효율을 향상시킬 수 있는 반도체 발광소자의 제조방법을 공개한다. 본 발명에 따른 반도체 발광소자의 제조방법은, 반도체기판에 빛을 발생시키는 반도체층을 형성하는 단계; 상기 반도체층 상에 나노입자들을 배치하여 나노패턴을 형성하는 단계; 상기 나노패턴이 형성된 반도체기판을 기울인 상태로 회전시키면서 투명전극을 형성하는 단계; 및 상기 나노입자를 제거하는 단계를 포함한다. 상기 나노입자의 마스크(Mask) 역할로 발생하는 그림자 효과(Shadow Effect)로 인해 투명전극의 표면은 굴곡을 갖게 된다. 따라서, 질화물 반도체층과 외부 대기 사이의 계면에서 발생하는 내부전반사를 최소화하여 반도체 발광소자의 활성층에서 발생된 빛의 추출효율을 대폭 향상시킬 수 있으며, 이로 인해 질화물 기반 반도체소자의 전기/광학적 특성 저하를 방지할 수 있는 효과가 있다.
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관련 특허
| 특허명 | 출원일 | ||
|---|---|---|---|
| 금속/그래핀 투명전극을 포함하는 발광소자 및 이의 제조방법 | 2011년 1월 4일 | ||
| 반도체 발광소자 및 그 제조방법 | 2010년 5월 27일 | ||
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| 탄소나노튜브가 채워진 홀패턴을 구비하는 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법 | 2010년 4월 30일 | ||
| 발광소자 및 조명시스템 | 2014년 9월 29일 | ||
