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다이아몬드 전극의 제조 방법 및 이로 제조된 다이아몬드 전극
| 특허명 | 다이아몬드 전극의 제조 방법 및 이로 제조된 다이아몬드 전극 | ||
| 출원인 | 고려대학교 산학협력단 | 출원일 | 2019년 6월 19일 |
| 공개일 | 2020년 12월 30일 | 공고일 | - |
| 요약 |
본 발명은 (A) 표면에 나노 구조체를 포함하는 기판을 준비하는 단계; (B) 상기 나노 구조체의 표면에 다이아몬드 박막을 배치하는 단계; 및 (C) 상기 다이아몬드 박막을 플라즈마 처리하는 단계; 를 포함하고, 단계(C)에서, 플라즈마 처리된 다이아몬드 박막은 라만 분석에 의한 sp3 탄소상/sp2 탄소상의 신호감도비율(I D /I G intensity ratio)이 2보다 큰 다이아몬드 전극의 제조 방법 및 이로 제조된 다이아몬드 전극을 개시한다.
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