특허명 | 계층적 구조를 이용한 고감도, 쾌속반응 산화물 반도체형가스 센서 및 그 제조 방법 | ||
출원인 | 고려대학교 산학협력단 | 출원일 | 2007년 12월 31일 |
공개일 | 2009년 7월 3일 | 공고일 | 2010년 10월 26일 |
요약 |
고감도, 쾌속반응 산화물 반도체형 가스 센서 및 그 제조 방법을 제공한다. 본 발명에 따른 가스 센서는 다공질의 나노 계층적 구조를 가지는 산화물 반도체형 가스 센서이며, 본 발명에 따른 가스 센서 제조 방법에서는, 금속 전구체의 수열합성 반응을 일으켜 나노 계층적 구조를 가지는 산화물 반도체 침전물을 형성한 후, 상기 침전물을 세척 및 건조하여 분말을 얻는다. 그런 다음, 상기 분말로 막을 형성한 후 열처리하여 다공질의 나노 계층적 구조를 가지는 산화물 반도체형 가스 센서를 제조한다.
|
특허명 | 출원일 | ||
---|---|---|---|
가스 검출용 복합체, 그 제조 방법, 상기 가스 검출용 복합체를 포함하는 가스 센서 및 그 제조 방법 | 2018년 5월 30일 | ||
산화물 반도체 나노 막대를 이용한 물질 감지 소자 및 그 제조 방법 | 2011년 7월 15일 | ||
아연 산화물-인듐 산화물 복합 나노 섬유 가스 센서 및 그 제조 방법 | 2013년 2월 22일 | ||
층상 이중 수산화물 기반 저온 질소산화물 흡착제 및 이의 제조 방법 | 2019년 10월 11일 | ||
후속 열처리 공정을 이용한 반도체 소자 제조 방법 및 그에 의해 제조된 반도체 소자 | 2016년 3월 31일 |