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산화물 박막 트랜지스터 및 이의 제조방법
| 특허명 | 산화물 박막 트랜지스터 및 이의 제조방법 | ||
| 출원인 | 고려대학교 산학협력단 | 출원일 | 2017년 8월 3일 |
| 공개일 | 2019년 2월 13일 | 공고일 | 2019년 8월 28일 |
| 요약 |
본 발명은 산화물 박막 트랜지스터 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 기판 상에 형성되는 게이트 전극, 기판과 상기 게이트 전극의 위에 형성되는 게이트 절연막, 상기 게이트 절연막의 상부에서 상기 게이트 전극을 따라 형성되고, 전기적 포밍 공정에 의한 산소 공공(oxygen vacancy)이 전체 또는 일부 영역에 포함되어 있는 산화물 반도체층, 상기 산화물 반도체층 위에서 상기 게이트 전극의 일측으로 형성되는 소스 전극 및 상기 산화물 반도체층 위에서 상기 게이트 전극의 타측으로 형성되는 드레인 전극을 포함하는 산화물 박막 트랜지스터를 제공할 수 있다.
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관련 특허
| 특허명 | 출원일 | ||
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