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3층막구조의 합성 페리자성체로 이루어진 나노구조 셀의 열적 안정성 계수 측정 방법
| 특허명 | 3층막구조의 합성 페리자성체로 이루어진 나노구조 셀의 열적 안정성 계수 측정 방법 | ||
| 출원인 | 고려대학교 산학협력단 | 출원일 | 2009년 2월 20일 |
| 공개일 | 2010년 8월 30일 | 공고일 | 2011년 11월 11일 |
| 요약 |
본 발명은 3층막구조의 합성 페리자성체의 열적 안정성 계수를 계산하는데 사용되는 해석적 및 수치적 통합 방법에 관한 것으로, 마이크로자기 컴퓨터 시뮬레이션을 이용하여 평형 자기 상태의 유효 정자기장(Effective Magnetostatic Fields)을 구하고, 그 결과들을 자기 에너지 배리어를 나타내는 총 에너지에 관한 해석적 수학식에 대입함으로써, 열적 안정성 계수를 계산하는 발명에 관한 것이다. 아울러, 본 발명은 3층막구조의 합성 페리자성체를 자유층으로 사용하는 자기랜덤액세스메모리(MRAM: magnetic random access memory)의 열적 안정성 계수를 신속하게 계산함으로써 열적으로 안정된 자기 셀을 설계하는데 유용하게 사용될 수 있는 발명에 관한 것이다.
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| 특허명 | 출원일 | ||
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