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나노선 성장용 촉매 패턴 형성 방법, 이를 이용한 나노선 형성 방법 및 그 방법으로 형성된 나노선을 이용한 나노선 소자
| 특허명 | 나노선 성장용 촉매 패턴 형성 방법, 이를 이용한 나노선 형성 방법 및 그 방법으로 형성된 나노선을 이용한 나노선 소자 | ||
| 출원인 | 고려대학교 산학협력단 | 출원일 | 2009년 2월 27일 |
| 공개일 | 2010년 9월 6일 | 공고일 | 2011년 11월 8일 |
| 요약 |
랑뮈어-쉐퍼(Langmuir-Schaffer) 방법과 미세접촉 인쇄법을 이용한 나노선 성장용 촉매 패턴 형성 방법 및 이를 이용한 나노선 형성 방법에 대하여 개시한다. 본 발명에 따른 나노선 성장용 촉매 패턴 형성 방법은 (a)랑뮈어-쉐퍼(Langmuir-Schaffer) 방법으로 나노입자 단분자막을 형성하는 단계; (b)표면에 패턴이 형성된 고분자 스탬프를 상기 나노입자 단분자막에 접촉시켜, 상기 고분자 스탬프의 패턴에 나노입자를 흡착시키는 단계; 및 (c)기판에 상기 고분자 스탬프의 패턴 표면에 흡착된 나노입자를 접촉시켜, 상기 나노입자를 상기 기판에 프린팅하는 단계를 포함하여 이루어진다. 이때, 나노입자 단분자막은 (a1)제1용매에 나노입자가 분산된 나노입자 용액을 제조하는 단계; (a2)상기 제1용매와 비혼합성으로 상기 제1용매보다 비중 및 끓는점이 높은 제2용매에 상기 나노입자 용액을 포어링(pouring)하여, 상기 제2용매 상부에 상기 나노입자 용액이 혼합되지 않은 상태로 층을 형성하도록 하는 단계; 및 (a3)상기 제1용매를 제거하여, 상기 제2용매 상부에 상기 나노입자로 이루어진 단분자막을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진다.
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관련 특허
| 특허명 | 출원일 | ||
|---|---|---|---|
| 태양전지 및 그 제조방법 | 2010년 7월 12일 | ||
| 유기발광 트랜지스터 및 이의 제조방법 | 2016년 12월 29일 | ||
| 유기발광 트랜지스터 및 이의 제조방법 | 2017년 1월 4일 | ||
| 박막 트랜지스터 | 2016년 9월 21일 | ||
| 그래핀 박막 제조방법 | 2017년 3월 22일 | ||
