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확산방지층을 가지는 전극구조체를 구비한 수직형 구조의 그룹 Ⅲ족 n형 질화물계 반도체 소자 및 이를 포함하는 발광다이오드 소자
| 특허명 | 확산방지층을 가지는 전극구조체를 구비한 수직형 구조의 그룹 Ⅲ족 n형 질화물계 반도체 소자 및 이를 포함하는 발광다이오드 소자 | ||
| 출원인 | 고려대학교 산학협력단 | 출원일 | 2010년 5월 24일 |
| 공개일 | 2011년 11월 30일 | 공고일 | 2012년 1월 2일 |
| 요약 |
본 발명은 반도체 소자의 질소 극성 표면에 확산방지층이 형성된 구조를 포함하여 저온 처리 시에도 오믹특성을 유지할 수 있는 수직형 구조의 그룹 Ⅲ족 n형 질화물계 반도체 소자 및 이를 포함하는 발광다이오드 소자에 관한 것이다. 본 발명에 따른 확산방지층을 가지는 전극구조체를 구비한 수직형 구조의 그룹 Ⅲ족 n형 질화물계 반도체 소자 및 이를 포함하는 발광다이오드 소자는, 확산방지층이 n-GaN의 Ga이 전극구조체로 확산되는 것을 막는 역할을 하여 저온 처리 시에도 열적 안정성을 확보하여 오믹특성을 유지할 수 있을 뿐만 아니라, 질화물 발광다이오드 n형 전극으로서 안정적인 동작을 수행할 수 있게 하는 장점을 가진다. 따라서, 본 발명에 따르면 전기적 또는 열적 안정성이 향상된 수직형 구조의 그룹 Ⅲ족 n형 질화물계 반도체 소자 및 이를 포함하는 발광다이오드 소자를 사용할 수 있다는 장점이 있다.
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관련 특허
| 특허명 | 출원일 | ||
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