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마스크 패턴 및 질화물계 물질의 선택적 성장을 이용한 광소자 제조 방법
| 특허명 | 마스크 패턴 및 질화물계 물질의 선택적 성장을 이용한 광소자 제조 방법 | ||
| 출원인 | 고려대학교 산학협력단 | 출원일 | 2018년 1월 25일 |
| 공개일 | None | 공고일 | 2019년 6월 4일 |
| 요약 |
본 발명은 마스크 패턴 및 질화물계 물질의 선택적 성장을 이용한 광소자 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 마스크 패턴 및 질화물계 물질의 선택적 성장을 이용한 광소자 제조 방법은 기판 상부에 질화물을 이용하여 박막으로 증착하고 열처리하는 박막형성단계, 기판 상부에 마스크 패턴을 형성하는 마스크 패턴 형성단계 및 질화물을 성장시키는 성장단계를 포함한다.
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