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삼차원 낸드 플래시 메모리 및 그 제조방법
| 특허명 | 삼차원 낸드 플래시 메모리 및 그 제조방법 | ||
| 출원인 | 고려대학교 산학협력단 | 출원일 | 2017년 7월 20일 |
| 공개일 | 2019년 1월 30일 | 공고일 | 2019년 4월 18일 |
| 요약 |
본 발명은 삼차원 낸드 플래시 메모리 및 그 제조방법에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 기판 상에 복수의 절연층과 희생층을 교대로 적층하는 단계와, 상기 적층된 복수의 절연층과 희생층을 수직으로 관통하여 기판 상면이 노출되도록 채널 홀을 형성하는 단계와, 상기 형성된 채널 홀의 내면에 절연막을 형성하는 단계와, 상기 절연막이 형성된 채널 홀에 채널층을 형성하는 단계와, 상기 희생층을 에칭하여 제거하되 상기 채널 홀에 인접한 일부의 희생층을 남겨 전하 포획을 위한 트랩층으로 형성하는 단계와, 상기 절연층 및 상기 트랩층의 표면을 따라 블로킹 절연막을 형성하는 단계 및 상기 블로킹 절연막이 형성된 절연층들의 사이에 게이트 전극을 형성하는 단계를 구비하여, 하나의 공정을 통해 희생층의 에칭과 트랩층의 형성이 이루어지게 함으로써, 공정 과정을 단축시킬 수 있고, 이러한, 공정 과정의 단축에 의한 생산성 향상을 기대할 수 있다.
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| 특허명 | 출원일 | ||
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