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탄화된 포토레지스트를 이용하여 에피택셜층을 형성하는 방법 및 이에 의해 제조된 적층 구조물
| 특허명 | 탄화된 포토레지스트를 이용하여 에피택셜층을 형성하는 방법 및 이에 의해 제조된 적층 구조물 | ||
| 출원인 | 고려대학교 산학협력단 | 출원일 | 2010년 4월 20일 |
| 공개일 | 2011년 10월 26일 | 공고일 | 2011년 11월 11일 |
| 요약 |
본 발명은 공정이 간단하면서도 에피택셜층 내에 생성된 결함을 최소화할 수 있는 에피택셜층을 형성하는 방법 및 이에 의해 제조된 적층 구조물에 관한 것이다. 본 발명에 따른 에피층 형성방법은 기판 상에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와, 포토레지스트 패턴을 탄화시켜 마스크 패턴을 형성하는 단계와, 기판과 마스크 패턴이 함께 덮이도록 상기 기판 상에 에피택셜층을 형성하는 단계를 갖는다.
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관련 특허
| 특허명 | 출원일 | ||
|---|---|---|---|
| 탄소나노튜브 이용한 나노 채널 제조 방법 및 이를 이용한 나노 구조물 | 2013년 6월 4일 | ||
| 패턴 구조물의 제조 방법 | 2014년 1월 20일 | ||
| 단결정 기판 구조물 및 이의 제조 방법 | 2012년 10월 23일 | ||
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| 투명 기판 구조물의 제조 방법 | 2014년 4월 4일 | ||
