특허명 | 이지-콘 상태의 자성층을 구비한 자기터널 접합 소자 | ||
출원인 | 고려대학교 산학협력단 | 출원일 | 2017년 6월 20일 |
공개일 | None | 공고일 | 2018년 10월 31일 |
요약 |
본 발명은 자기터널접합 소자 및 그 제조 방법을 제공한다. 이 자기터널 접합 소자는 중금속층, 상기 중금속층 상에 배치된 자유 자성층, 및 상기 자유 자성층 상에 배치된 터널 절연층을 포함한다. 상기 중금속층은 백금이고, 상기 자유 자성층은 코발트(Co)이고, 상기 자유 자성층의 자화 상태는 콘(cone) 상태를 가지고, 상기 자유 자성층은 양의 1차 수직자기 이방성 상수 및 음의 2차 수직자기 이방성 상수를 가지고, 상기 터널 절연층은 MgO일 수 있다.
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특허명 | 출원일 | ||
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비대칭 자기 소자 | 2017년 1월 23일 | ||
자기 메모리 소자 | 2015년 5월 13일 | ||
자기 나노 발진 소자 | 2016년 7월 27일 | ||
자기 터널 접합 소자 및 자기 메모리 소자 | 2016년 10월 20일 | ||
다층 자성 박막 스택 및 이를 포함하는 비휘발성 메모리 소자 | 2014년 10월 2일 |