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수직 자기 이방성을 가지는 코발트-철-실리콘-보론/플래티늄 다층박막
| 특허명 | 수직 자기 이방성을 가지는 코발트-철-실리콘-보론/플래티늄 다층박막 | ||
| 출원인 | 고려대학교 산학협력단 | 출원일 | 2006년 11월 28일 |
| 공개일 | 2008년 6월 2일 | 공고일 | 2008년 6월 9일 |
| 요약 |
본 발명은 자기 랜덤 액세스 메모리(자기 메모리)(magnetic random access memory)에 사용하는 자기 이방성 다층박막에 관한 것으로, 구체적으로는 다층의 CoFeSiB/Pt 막을 포함하는 자기 이방성 다층박막에 관한 것이다. 자기 이방성 다층 박막, 자기 메모리, 자기 저항비, 스위칭 자기장
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관련 특허
| 특허명 | 출원일 | ||
|---|---|---|---|
| 하이브리드 메모리 시스템 및 그 제어 방법 | 2017년 2월 15일 | ||
| 다층 자성 박막 스택 및 이를 포함하는 비휘발성 메모리 소자 | 2014년 10월 2일 | ||
| 내부 연산 구조를 포함하는 MTJ 메모리 장치 | 2017년 2월 1일 | ||
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| 반전구조를 갖는 코발트(Co) 및 플래티늄(Pt) 기반의 다층박막 및 이의 제조방법 | 2012년 5월 22일 | ||
