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나노선을 포함하는 전자소자의 제조방법
| 특허명 | 나노선을 포함하는 전자소자의 제조방법 | ||
| 출원인 | 고려대학교 산학협력단 | 출원일 | 2011년 2월 28일 |
| 공개일 | None | 공고일 | 2012년 5월 11일 |
| 요약 |
본 발명은 기판 상에 유기 또는 무기 박막을 형성하는 단계; 상기 유기 또는 무기 박막 상에 패터닝된 나노선을 전이하는 단계; 상기 나노선의 양 끝단에 금속을 형성하는 단계; 상기 금속 상에 포토레지스트를 형성하는 단계; 및 상기 나노선의 하부에 위치하는 유기 또는 무기 박막을 반응 가스 또는 식각액으로 식각하여 떠있는 나노선을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 반응 가스 또는 식각액은 상기 유기 또는 무기 박막만을 선택적으로 식각하는 것을 특징으로 하는 나노선을 포함하는 전자소자의 제조방법에 관한 것이다.
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