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교류전류를 이용한 스핀 궤도 토크 자기 메모리 소자
| 특허명 | 교류전류를 이용한 스핀 궤도 토크 자기 메모리 소자 | ||
| 출원인 | 고려대학교 산학협력단 | 출원일 | 2018년 1월 30일 |
| 공개일 | 2019년 8월 7일 | 공고일 | 2020년 2월 4일 |
| 요약 |
본 발명의 일 실시예에 따른 자기 메모리는, 자유층, 기준층, 및 상기 자유층과 상기 기준층 사이에 배치된 터널배리어층을 포함하는 자기 터널 접합; 상기 자유층에 인접하게 배치된 제1 도전 라인; 및 상기 자유층에 인접하게 배치되고 상기 제1 도전 라인과 교차하는 제2 도전라인을 포함한다. 상기 자기 메모리의 자화 스위칭 방법은, 제1 주파수를 가지는 교류형태의 제1 전류를 상기 제1 도전 라인에 인가하는 단계; 및 상기 제1 주파수를 가지고 교류 형태의 제2 전류를 상기 제2 도전 라인에 인가하는 단계;를 포함한다. 상기 제1 전류 및 상기 제2 전류에 의하여 상기 자유층은 자화반전을 수행하고, 상기 자기 터널 접합은 상기 제1 도전 라인과 상기 제2 도전 라인의 교차점 상에 배치된다.
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관련 특허
| 특허명 | 출원일 | ||
|---|---|---|---|
| 자기 메모리 소자 및 자기 메모리 소자의 쓰기 방법 | 2016년 11월 29일 | ||
| 자기 터널 접합 소자 및 자기 메모리 소자 | 2016년 10월 20일 | ||
| 스핀필터 구조체를 포함하는 자기 터널 접합 소자 | 2017년 10월 26일 | ||
| 비대칭 자기 소자 | 2017년 1월 23일 | ||
| 자기 메모리 소자 | 2015년 5월 13일 | ||
