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양자점 띠내 전자전이 제어법
| 특허명 | 양자점 띠내 전자전이 제어법 | ||
| 출원인 | 고려대학교 산학협력단 | 출원일 | 2018년 4월 27일 |
| 공개일 | 2019년 11월 6일 | 공고일 | 2020년 3월 4일 |
| 요약 |
본 발명은 양자점의 구성물질 고유의 흡발광 영역을 넘어 고유의 밴드갭보다 작은 영역에서의 전자 전이를 제어하고 나아가 국소 표면 플라즈몬 공명 영역으로의 전자 전이를 제어할 수 있는 양자점, 이를 포함하는 광 검출 소자, 양자점 제조방법, 양자점의 전자 전이 제어방법에 관한 것이다.
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관련 특허
| 특허명 | 출원일 | ||
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