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태양전지 제조방법 및 그로 인해 제조된 태양전지
| 특허명 | 태양전지 제조방법 및 그로 인해 제조된 태양전지 | ||
| 출원인 | 고려대학교 산학협력단 | 출원일 | 2010년 11월 9일 |
| 공개일 | None | 공고일 | 2012년 3월 26일 |
| 요약 |
본 발명은 불순물이 도핑된 비정질 실리콘 층을 결정질 실리콘 기판에 증착시켜 고온의 어닐링(annealing) 공정을 통해 상기 불순물을 결정질 실리콘 기판으로 확산시켜 에미터(emitter)를 형성하고 연속적으로 반사방지막을 형성하여 종래 태양전지 제조시 반드시 필요한 PSG(PhosphoSilicate Glass) 제거 공정 및 에지 아이솔레이션(edge isolation) 공정을 감축시킨 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따라 제조된 태양전지는 p-n 접합 면적이 확대되어 태양광 수광 능력이 향상되고, 높은 표면 재결합 방지 효과를 나타내어 광전기 변환 효율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
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