기술 검색
나노 패턴이 형성된 전하 포획층을 포함하는 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조하는 방법
| 특허명 | 나노 패턴이 형성된 전하 포획층을 포함하는 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조하는 방법 | ||
| 출원인 | 고려대학교 산학협력단 | 출원일 | 2010년 6월 14일 |
| 공개일 | 2011년 12월 21일 | 공고일 | 2012년 7월 11일 |
| 요약 |
본 발명은 SONOS 구조의 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조 방법을 개시한다. 본 발명은, 종래 기술의 SONOS 구조의 비휘발성 메모리 소자가 점점 소형화됨에 따라서 전하 포획층에서 포획되는 전하의 양이 감소하고, 이로 인해서 메모리 소자의 프로그램 상태 및 프로그램 소거 상태를 인지하는 메모리 윈도우 마진을 확보하기 어려운 문제점을 해소하기 위해서, 전하 포획층 중 주로 전하가 포획되는 영역인 전하 포획층과 블로킹 절연막의 접합면에 요철 패턴과 같은 나노 패턴을 형성하였다. 본 발명은 별도의 복잡한 공정의 추가없이, 기존의 SONOS 공정에서 나노 패턴을 형성하는 공정만을 추가함으로써, 전하 포획층 중 전하가 포획되는 영역인 블로킹 절연막과의 계면을 확장하여, 단위 길이당 전하가 포획되는 영역을 증가시킬 수 있게 되었고, 이로 인해, 45nm 이하의 초소형 메모리 소자에서도 큰 메모리 윈도우 마진을 확보할 수 있게 됨으로써, 보다 신뢰성있는 비휘발성 메모리 소자를 제공할 수 있다.
|
||
관련 특허
| 특허명 | 출원일 | ||
|---|---|---|---|
| 문턱전압 스위칭 물질을 이용한 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조 방법 | 2011년 4월 6일 | ||
| 전하-플라즈마 효과가 적용된 반도체 소자 및 이의 제조 방법 | 2019년 8월 5일 | ||
| 은-나노와이어 증착 장치 및 이의 제어 방법 | 2014년 7월 8일 | ||
| 탄소나노튜브 이용한 나노 채널 제조 방법 및 이를 이용한 나노 구조물 | 2013년 6월 4일 | ||
| 코발트-몰리브데늄 나노 입자 및 그의 제조 방법 | 2014년 12월 9일 | ||
