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탄소나노튜브가 채워진 홀패턴을 구비하는 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법
| 특허명 | 탄소나노튜브가 채워진 홀패턴을 구비하는 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법 | ||
| 출원인 | 고려대학교 산학협력단 | 출원일 | 2010년 4월 30일 |
| 공개일 | 2011년 11월 7일 | 공고일 | 2012년 3월 20일 |
| 요약 |
본 발명은 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법을 개시한다. 본 발명은 본 발명은 주기적인 홀패턴을 투명 전극층에 광결정 구조로서 형성하여, 광추출 효율을 향상시킬뿐만 아니라, 투명 전극층에 홀패턴을 형성함으로써, 투명 전극층과 반도체층과 접합하는 면적을 감소시켜 접촉 저항을 감소시킬 수 있다. 또한, 본 발명은 홀패턴 내부에 전도도가 뛰어나면서도 투과성이 양호한 탄소나노튜브를 채움으로써 투명 전극층의 전도도를 향상시켜 전류 분산 효과를 높이고, current crowding을 방지할 수 있다.
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관련 특허
| 특허명 | 출원일 | ||
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| 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법 | 2011년 11월 8일 | ||
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| 발광 소자 및 그 제조 방법 | 2012년 3월 12일 | ||
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