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Ga 이온 임플란테이션된 질소 극성 표면을 포함하는 수직형 구조의 그룹 Ⅲ족 n형 질화물계 반도체 소자 및 이를 포함하는 발광다이오드 소자
| 특허명 | Ga 이온 임플란테이션된 질소 극성 표면을 포함하는 수직형 구조의 그룹 Ⅲ족 n형 질화물계 반도체 소자 및 이를 포함하는 발광다이오드 소자 | ||
| 출원인 | 고려대학교 산학협력단 | 출원일 | 2010년 7월 12일 |
| 공개일 | 2012년 1월 18일 | 공고일 | 2012년 3월 26일 |
| 요약 |
본 발명은 Ga 이온 임플란테이션된 질소 극성 표면 구조를 포함하여 저온 처리 시에도 오믹특성을 유지할 수 있는 수직형 구조의 그룹 Ⅲ족 n형 질화물계 반도체 소자 및 이를 포함하는 발광다이오드 소자에 관한 것이다.본 발명에 따른 Ga 이온 임플란테이션된 질소 극성 표면을 포함하는 수직형 구조의 그룹 Ⅲ족 n형 질화물계 반도체 소자 및 이를 포함하는 발광다이오드 소자는, 임플란테이션된 Ga 이온이 n-GaN의 Ga이 전극구조체로 확산되는 것을 막는 역할을 하여 저온 처리 시에도 열적 안정성을 확보하여 오믹특성을 유지할 수 있을 뿐만 아니라, 질화물 발광다이오드 n형 전극으로서 안정적인 동작을 수행할 수 있게 하는 장점을 가진다. 또한, 임플란테이션 된 Ga 이온은 독립적인 층을 형성하지 않고, n-GaN 표면의 전부 또는 일부에 분산되어 존재하고 있기 때문에 다양한 형태의 전극구조체를 사용할 수 있다는 장점이 있다. 따라서, 본 발명에 따르면 전기적 또는 열적 안정성이 향상된 수직형 구조의 그룹 Ⅲ족 n형 질화물계 반도체 소자 및 이를 포함하는 발광다이오드 소자를 사용할 수 있다는 장점이 있다.
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관련 특허
| 특허명 | 출원일 | ||
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| 확산방지층을 가지는 전극구조체를 구비한 수직형 구조의 그룹 Ⅲ족 n형 질화물계 반도체 소자 및 이를 포함하는 발광다이오드 소자 | 2010년 5월 24일 | ||
| 열적 안정성이 향상된 Ⅲ족 n형 질화물계 반도체 소자 및 이의 제조방법 | 2010년 11월 16일 | ||
| 반도체 나노와이어 광전 소자 | 2017년 10월 27일 | ||
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| 로직 반도체 소자 | 2016년 9월 26일 | ||
