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금속-유전층-반도체 구조가 적용된 무접합 전계효과 트랜지스터 및 그 제조 방법
| 특허명 | 금속-유전층-반도체 구조가 적용된 무접합 전계효과 트랜지스터 및 그 제조 방법 | ||
| 출원인 | 고려대학교 산학협력단 | 출원일 | 2018년 7월 30일 |
| 공개일 | None | 공고일 | 2020년 1월 30일 |
| 요약 |
반도체 소자가 개시된다. 상기 반도체 소자는 동일한 타입의 불순물이 주입된 반도체층, 상기 반도체층 상에 게이트 절연막을 사이에 두고 형성된 게이트 전극, 상기 게이트 전극의 양측의 반도체층 상에 형성된 유전층, 및 상기 유전층의 상부에 각각 형성된 소스/드레인 전극을 포함한다.
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