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이온샤워법을 이용한 실리콘 이종접합 태양전지 제조방법
| 특허명 | 이온샤워법을 이용한 실리콘 이종접합 태양전지 제조방법 | ||
| 출원인 | 고려대학교 산학협력단 | 출원일 | 2010년 9월 16일 |
| 공개일 | 2012년 3월 26일 | 공고일 | 2012년 3월 29일 |
| 요약 |
본 발명에서는 (a) 결정질 실리콘 기판을 준비하는 단계; (b) 상기 결정질 실리콘 기판의 전면에 비정질 버퍼층을 형성하는 단계; (c) 상기 비정질 버퍼층이 형성된 상기 결정질 실리콘 기판 전면에 이온샤워법을 이용하여 도핑가스를 도핑하여 에미터를 형성하는 단계; (d) 상기 결정질 실리콘 기판의 후면에 이온샤워법을 이용하여 도핑가스를 도핑하여 후면전계를 형성하는 단계; 및 (e) 열처리하는 단계를 포함하는 이종접합 태양전지 제조방법이 개시된다. 본 발명에 따르면, 이종접합 태양전지 제조 중 생기는 결정질 실리콘 기판의 결함 및 결정질 실리콘 기판과 비정질 실리콘 층과의 계면 결함을 줄일 수 있고, 이온샤워 도핑 장치를 이용하여 에미터 및 후면전계를 형성하여 플라즈마 데미지를 최소화하며 대면적의 기판에 혼합가스를 낮은 깊이로 균일하게 도핑할 수 있어 고효율의 이종접합 태양전지를 제조할 수 있다.
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관련 특허
| 특허명 | 출원일 | ||
|---|---|---|---|
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