특허명 | La이 코팅된 SnO2 나노와이어 센서 및 그 제조방법 | ||
출원인 | 고려대학교 산학협력단 | 출원일 | 2007년 11월 26일 |
공개일 | 2009년 5월 29일 | 공고일 | 2010년 3월 18일 |
요약 |
본 발명에 따른 La이 코팅된 SnO 2 나노와이어 센서 제조방법은 기판 상에 열증착법을 이용하여 SnO 2 나노와이어층을 성장시키는 단계; 상기 SnO 2 나노와이어층에 La소스로 0.01 내지 1.2M La(NO 3 ) 3 수용액 0.001 내지 10 ml를 상기 SnO 2 나노와이어층에 제공하는 단계; 및 상기 La소스를 첨가한 SnO 2 나노와이어층을 500℃ 내지 700℃에서 30분 내지 90분 동안 열처리하는 단계를 포함하며, 기체 에탄올 선택성을 향상시킨 것을 특징으로 한다. 상기 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명에 따른 La이 코팅된 SnO 2 나노와이어 센서는 상기한 제조방법으로 형성되는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따른 La이 코팅된 SnO 2 나노와이어 센서는 열증착법으로 성장시킨 SnO 2 나노와이어에 La을 코팅하여 제조한 본 발명의 La가 첨가된 SnO 2 나노와이어 센서는 프로판, 일산화탄소, 수소, 질소산화물에 대한 알콜 선택성이 향상되며, 쾌속반응의 효과가 있다.
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특허명 | 출원일 | ||
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