기술 검색
유기 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법
| 특허명 | 유기 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 | ||
| 출원인 | 고려대학교 산학협력단 | 출원일 | 2008년 2월 29일 |
| 공개일 | 2009년 9월 2일 | 공고일 | 2012년 3월 15일 |
| 요약 |
본 발명은 게이트 전극, 상기 게이트 전극과 중첩하며 제1 유기 반도체 물질을 포함하는 유기 반도체, 상기 게이트 전극과 상기 유기 반도체 사이에 위치하는 게이트 절연막, 그리고 상기 유기 반도체와 전기적으로 연결되어 있는 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하고, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극은 제2 유기 반도체 물질로 표면 처리되어 있는 유기 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 유기 박막 트랜지스터, 유기 반도체, 표면 처리, 접촉 저항
|
||
관련 특허
| 특허명 | 출원일 | ||
|---|---|---|---|
| 다층 채널 박막 트랜지스터 및 이의 제조방법 | 2020년 11월 17일 | ||
| 산화물 박막 트랜지스터 및 이의 제조방법 | 2017년 8월 3일 | ||
| 투명 기판 또는 플렉시블 기판을 이용한 투명 또는 플렉서블한 비휘발성 메모리 소자 제조 방법 | 2012년 4월 6일 | ||
| IGZO/금속/IGZO 다층박막 구조를 포함하는 투명 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 | 2016년 1월 29일 | ||
| 전계효과 트랜지스터 | 2014년 6월 12일 | ||
