특허명 | 발광 다이오드 소자 및 그 제조방법 | ||
출원인 | 고려대학교 산학협력단 | 출원일 | 2010년 6월 9일 |
공개일 | 2011년 12월 15일 | 공고일 | 2012년 3월 27일 |
요약 |
본 발명은 발광 다이오드 소자의 광추출 효율을 향상시키기 위한 광산란 패턴을 기판의 일면 또는 화합물 반도체층 일면에 새로운 프린팅 공정을 이용하여 형성된 발광 다이오드 소자와 이러한 발광 다이오드 소자의 제조방법을 제공한다. 본 발명의 일측면에 따르면, 일면에 제1 요철 패턴을 가진 스탬프의 상기 일면 상에 전사층을 도포하는 단계; 상기 전사층이 직접 접촉되도록 상기 스탬프를 기판에 배치시키는 단계; 상기 전사층이 상기 기판에 부착된 상태에서 상기 스탬프를 상기 전사층으로부터 분리시키는 단계; 및 상기 전사층 상부에 하지층, 제1 타입 화합물 반도체층, 활성층 및 상기 제1 타입에 반대의 극성을 가지는 제2 타입 화합물 반도체층을 적층하는 단계를 포함하는 발광 다이오드 소자의 제조방법이 제공된다.
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특허명 | 출원일 | ||
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