특허명 | 스트레인 센서 및 이의 제조 방법 | ||
출원인 | 고려대학교 산학협력단 | 출원일 | 2019년 2월 7일 |
공개일 | None | 공고일 | 2020년 3월 11일 |
요약 |
본 발명은 스트레인 센서 및 이의 제조 방법을 개시한다. 본 발명의 실시예에 따른 스트레인 센서는 유연한 절연성 기판 상에 형성되고, X축 변형을 감지하는 X축 감지부; 상기 X축 감지부와 직교되도록 상기 유연한 절연성 기판 상에 형성되고, Y축 변형을 감지하는 Y축 감지부; 상기 유연한 절연성 기판의 상기 X축 감지부 및 상기 Y축 감지부가 형성되지 않은 영역에 형성되는 금속 전극; 및 상기 X축 감지부, 상기 Y축 감지부 및 상기 금속 전극 상에 형성되는 캡슐화층(encapsulate layer)을 포함하고, 상기 X축 감지부 및 상기 Y축 감지부는 금속-절연체 헤테로 구조(Metal-insulator heterostructure)를 갖는 것을 특징으로 한다.
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특허명 | 출원일 | ||
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