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나노포러스 산화물 기반 인공시냅스 소자 및 그 제조 방법
| 특허명 | 나노포러스 산화물 기반 인공시냅스 소자 및 그 제조 방법 | ||
| 출원인 | 고려대학교 산학협력단 | 출원일 | 2018년 9월 10일 |
| 공개일 | None | 공고일 | 2020년 3월 12일 |
| 요약 |
본 발명은 기판; 상기 기판 상에 배치된 제1 전극; 상기 제1 전극 상에 배치된 배리어층; 및 상기 배리어층 상에 배치된 제2 전극; 을 포함하고, 상기 제1 전극은 상부 영역에 형성된 나노 포러스층을 포함하는 나노포러스 산화물 기반 인공시냅스 소자 및 그 제조 방법을 개시한다.
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