특허명 | 에쓰오티 엠램 및 그 데이터 쓰기방법 | ||
출원인 | 고려대학교 산학협력단 | 출원일 | 2018년 5월 25일 |
공개일 | 2019년 12월 4일 | 공고일 | 2020년 4월 8일 |
요약 |
본 출원의 일 실시예에 따르는 반도체 장치는, 메모리 셀 어레이와 연결된 라인구동부, 상기 메모리 셀 어레이에 복수의 비트라인들과 복수의 소스라인들을 통해 전기적으로 연결되는 제1 및 제2 출력단을 포함하는 스위칭부 및 상기 제1 및 제2 출력단에 프리차지전압과 소스전압을 출력하는 전원공급부를 포함하고, 상기 전원공급부는, 상기 프리차지전압을 전하공유(Charge Sharing)하여 제1 전압을 충전하고, 상기 제1 전압을 일측으로 방전함에 따라 타측에 음전압을 생성하는 음전압생성부를 포함한다.
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특허명 | 출원일 | ||
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