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전자 물질막의 형성 방법 및 이를 적용한 전자소자의 제조 방법 및 장치
| 특허명 | 전자 물질막의 형성 방법 및 이를 적용한 전자소자의 제조 방법 및 장치 | ||
| 출원인 | 고려대학교 산학협력단 | 출원일 | 2009년 8월 11일 |
| 공개일 | 2011년 2월 17일 | 공고일 | 2012년 5월 14일 |
| 요약 |
스퍼터링을 기반으로 하는 전자, 전기 소자용도의 박막의 형성방법에 관해 기술된다. 기판이나 기판상에 형성된 하부 적층 또는 구조물을 플라즈마에 의한 손상으로부터 보호할 수 있으면서도 양질의 전기/물질적 특성을 가지는 막질을 얻을 수 있다. 대상물질로서는 도전성, 반도체, 저항성 물질이 포함될 수 있으며, ITO(Indium Tin Oxide)와 같은 TCO(Transparent Conductive Oxide) 물질이 포함될 수 있다. 증착법은 스퍼터링에 의한 단위 전자 물질막 또는 단위 전극층 형성과 비반응성 원소로부터 얻어진 중성 입자빔에 의한 단위 전자 물질막 또는 전극층의 표면처리를 포함 한다.
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| 특허명 | 출원일 | ||
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