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질화갈륨 양자점의 제조방법
| 특허명 | 질화갈륨 양자점의 제조방법 | ||
| 출원인 | 엘지디스플레이 주식회사|고려대학교 산학협력단 | 출원일 | 2019년 7월 18일 |
| 공개일 | 2020년 5월 29일 | 공고일 | - |
| 요약 |
본 발명의 일 실시예에 따른 질화갈륨 양자점의 제조방법은 갈륨 할로겐화물 및 유기 리간드를 용매에 용해시켜 제조된 혼합물을 가열하여 갈륨 전구체 용액을 제조하는 단계, 갈륨 전구체 용액을 가열하는 단계, 가열된 갈륨 전구체 용액에 질소 전구체를 고온 주입(hot-injection)하여 질화갈륨을 제조하는 단계, 가열된 온도를 유지하며 상기 질화갈륨을 성장시키는 단계 및 성장이 완료된 질화갈륨을 포함하는 용액을 쿨링하여 콜로이드 상태의 질화갈륨 양자점을 수득하는 단계를 포함한다.
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