기술 검색
나노 화소 유기 발광 다이오드 및 그 제조 방법
| 특허명 | 나노 화소 유기 발광 다이오드 및 그 제조 방법 | ||
| 출원인 | 고려대학교 산학협력단 | 출원일 | 2019년 1월 2일 |
| 공개일 | None | 공고일 | 2020년 6월 15일 |
| 요약 |
본 발명은 기판; 상기 기판 상에 배치된 제1전극층; 상기 제1전극 상에 배치된 나노 화소 형성층; 상기 나노 화소 형성층 상에 배치되는 유기물층; 및 상기 유기물층 상에 배치되는 제2전극층; 을 포함하고, 상기 나노 화소 형성층은 상하를 관통되어 형성된 복수의 홀을 포함하고, 상기 유기물층 및 상기 제2전극층은 상기 나노 화소 형성층의 홀 영역에 형성된 오목부를 포함하고, 상기 나노 화소 형성층에 형성된 복수의 홀 영역 각각은 나노 화소 형성 영역인 나노 화소 유기 발광 다이오드 및 그 제조 방법을 개시한다.
|
||
전문 PDF
관련 특허
| 특허명 | 출원일 | ||
|---|---|---|---|
| 고효율 Ga-polar 수직 발광 다이오드 소자 및 그 제조방법 | 2016년 4월 25일 | ||
| 나노포러스 산화물 기반 인공시냅스 소자 및 그 제조 방법 | 2018년 9월 10일 | ||
| 압력 측정 장치 및 그의 제조 방법 | 2018년 2월 26일 | ||
| 복수 n 콘택 구조가 구비된 발광 다이오드 소자 | 2016년 6월 1일 | ||
| 자성 전사 장치, 자성 전사 장치의 제조 방법, 자성 전사 장치를 이용한 반도체 발광 소자 전사 방법 | 2018년 5월 4일 | ||
