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나노선 및 이를 이용한 전류 인가 자벽 이동을 이용한메모리 소자
| 특허명 | 나노선 및 이를 이용한 전류 인가 자벽 이동을 이용한메모리 소자 | ||
| 출원인 | 고려대학교 산학협력단|포항공과대학교 산학협력단 | 출원일 | 2007년 12월 6일 |
| 공개일 | 2009년 6월 11일 | 공고일 | 2009년 7월 13일 |
| 요약 |
나노선 및 이를 이용한 전류 인가 자벽 이동을 이용한 메모리 소자가 개시된다. 본 발명에 따른 나노선은, 수직 자기 이방성을 가지는 나노선에 있어서, 상기 나노선의 구성 물질인 강자성체의 단위면적당 포화 자화양, 자벽 두께 및 스핀 분극률에 의해 연산 되는 전류 밀도 가 일 때, 상기 나노선의 자벽 두께 , 상기 나노선의 선 폭 및 상기 나노선의 두께 에 따른 및 가 에 의해 구성된다. 본 발명에 의하면, 수직이방성을 가지는 나노선에서 주어진 재료에 대하여 자벽이동을 시키기 위한 임계전류밀도가 상용화를 위해 요구되는 특정값 이하를 만족하는 최적의 나노선 폭 및 두께를 결정하여, 전류 구동 자벽 이동을 이용한 메모리 소자를 구동할 수 있는 전류 밀도가 이하가 되도록 설계할 수 있어서, 현재 상용되고 있는 나노선에서의 자벽 이동을 시키기 위한 전류 밀도보다 적어도 10배 이상 낮은 값을 가지므로, 고 전력 소모 및 주울열에 의한 소자의 오작동 문제를 해결할 수 있으며, 저렴한 비용으로 메모리 소자를 제작할 수 있는 효과가 있다.
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| 특허명 | 출원일 | ||
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