특허명 | RF 플라즈마를 이용하여 이산화규소 나노 입자상에 이산화세륨을 박막증착시키는 방법 및 이로부터 제조된 연마입자 | ||
출원인 | 고려대학교 산학협력단 | 출원일 | 2004년 6월 21일 |
공개일 | 2005년 12월 26일 | 공고일 | 2006년 8월 21일 |
요약 |
본 발명은 RF 플라즈마를 이용하여 이산화규소(SiO 2 ) 나노 입자상에 이산화세륨(CeO 2 )을 박막증착시키는 방법에 관한 것으로, SiO 2 나노 입자를 제조하고 CeO 2 전구체를 제조한 후 상기 SiO 2 나노 입자와 CeO 2 전구체에 RF 플라즈마를 처리하여 CeO 2 이 코팅된 즉 박막증착된 SiO 2 입자를 합성한 후 SEM 이미지를 찍어 RF 플라즈마에 의한 CeO 2 박막 증착을 확인하고 CeO 2 박막 증착 전/후 pH에 따른 제타포텐셜을 비교하여 SiO 2 입자가 그의 표면 특성을 잃고 CeO 2 의 표면 화학적 특성을 얻게 되었음을 확인함으로써 SiO 2 의 물리적 특성과 CeO 2 의 화학적 표면 특성을 이용할 수 있는 CMP(Chemical Mechanical Polishing)용 연마입자를 제공하는 매우 뛰어난 효과가 있다. 플라즈마, RF 플라즈마, 이산화규소, 이산화세륨, 반도체, 연마입자, CMP용 연마입자, 박막증착, 제타포텐셜
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특허명 | 출원일 | ||
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