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광효율 향상을 위한 전극 패턴을 포함하는 반도체 발광소자
| 특허명 | 광효율 향상을 위한 전극 패턴을 포함하는 반도체 발광소자 | ||
| 출원인 | 고려대학교 산학협력단 | 출원일 | 2010년 6월 24일 |
| 공개일 | None | 공고일 | 2011년 8월 5일 |
| 요약 |
광효율 향상을 위한 전극 패턴을 포함하는 반도체 발광소자가 개시된다. 본 발명에 따른 반도체 발광소자는 제 1 질화물 반도체층, 활성층, 제 2 질화물 반도체층, 및 투명 전극이 순차적으로 적층되어 있는 기판, 제 1 질화물 반도체층에 전기적으로 접촉되는 한 쌍의 제 1 전극, 및 투명 전극 위에 형성되어 있는 한 쌍의 제 2 전극을 포함한다. 이때, 제 1 전극 및 제 2 전극은 투명 전극의 한쪽 가장자리와 평행인 메인 전극, 및 메인 전극의 제 1 측단, 제 2 측단, 중간에서 동일한 방향을 향해 수직으로 돌출되어 있는 제 1 측단 가지, 제 2 측단 가지, 중간 가지를 포함하며, 제 2 측단 가지는, 메인 전극과 수직을 이루는 수직부, 및 메인 전극과 평행하도록 수직부의 끝에서 바깥쪽 방향으로 연결되는 수평부를 포함할 수 있다. 이로 인해, 반도체 발광소자의 일부를 제거하지 않고도 소자 내부의 열 발생을 억제할 수 있으므로, 전자와 정공의 직접적인 반응이 일어나는 활성층 영역을 제거하지 않아, 유효발광면적을 유지할 수 있다. 또한, 이와 같은 전극 패턴으로 인해, 전류의 균일한 분산을 유도할 수 있으므로, 불균일한 전류 분포로 인해 발생하는 조기 광 포화문제, 국부적인 광분포 및 그에 따른 발열 현상, 높은 소비전력 등의 문제점을 해결할 수 있어, 반도체 발광소자의 휘도 특성 및 광추출 효율을...(이하생략)
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| 특허명 | 출원일 | ||
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