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비아 형성 방법, 이를 기반으로 하는 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 장치
| 특허명 | 비아 형성 방법, 이를 기반으로 하는 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 장치 | ||
| 출원인 | 고려대학교 산학협력단 | 출원일 | 2019년 12월 5일 |
| 공개일 | 2021년 6월 15일 | 공고일 | - |
| 요약 |
비아 형성 방법, 이를 기반으로 하는 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 장치에 관한 것으로, 비아 형성 방법은, 적어도 하나의 소자가 형성된 기판에 중간층이 형성되는 단계 및 상기 중간층의 일 면에 대해 요구 회전 속도로 미리 정의된 기간 동안 평탄화를 수행하여 상기 적어도 하나의 소자에 대응하는 적어도 하나의 부분을 상기 중간층으로부터 이탈시킴으로써, 상기 적어도 하나의 소자에 대응하는 적어도 하나의 비아를 상기 중간층에 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
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| 특허명 | 출원일 | ||
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