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열적 안정성이 향상된 Ⅲ족 n형 질화물계 반도체 소자 및 이의 제조방법
| 특허명 | 열적 안정성이 향상된 Ⅲ족 n형 질화물계 반도체 소자 및 이의 제조방법 | ||
| 출원인 | 고려대학교 산학협력단 | 출원일 | 2010년 11월 16일 |
| 공개일 | 2012년 5월 24일 | 공고일 | 2012년 10월 9일 |
| 요약 |
본 발명에서는 Ⅲ족 n형 질화물계 반도체 소자에 있어서, 상기 반도체 소자의 n형 질화물계 클래드층에 질화물층이 형성된 구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 Ⅲ족 n형 질화물계 반도체 소자가 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 Ⅲ족 n형 질화물계 반도체 소자 및 이를 포함하는 발광다이오드 소자는, 레이저 조사에 의해 n형 질화물계 클래드층의 질소가 빠져나오면서 질화물층이 형성되고 n형 질화물계 클래드층에 질소공공(N vacancy)이 형성됨으로써 n형 질화물계 클래드층 표면의 캐리어 농도의 증가로 인한 터널링 현상에 의해 전류이동이 원활해질 뿐만 아니라, 열적 안정성을 확보하여 오믹특성을 유지할 수 있는 장점을 가진다. 따라서, 본 발명에 따르면 전기적 또는 열적 안정성이 향상된 Ⅲ족 n형 질화물계 반도체 소자 및 이를 포함하는 발광다이오드 소자를 사용할 수 있다는 장점이 있다.
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관련 특허
| 특허명 | 출원일 | ||
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