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유도가열을 이용한 반도체 - 금속 접점의 선택적 열처리 방법과 장치
| 특허명 | 유도가열을 이용한 반도체 - 금속 접점의 선택적 열처리 방법과 장치 | ||
| 출원인 | 고려대학교 산학협력단 | 출원일 | 2010년 6월 11일 |
| 공개일 | 2010년 12월 21일 | 공고일 | 2012년 10월 5일 |
| 요약 |
유도가열을 이용한 반도체 - 금속 접점의 선택적 열처리 방법과 장치를 제공한다. 본 발명에 따른 열처리 방법은, 반도체 - 금속 접점을 가지는 반도체 소자에 유도가열 에너지를 가하여 상기 반도체 - 금속 접점을 선택적으로 가열시킴으로써 접촉 저항을 감소시키는 것이다. 본 발명에 따른 열처리 장치는, 유도가열에 의하여 반도체 - 금속 접점을 가지는 반도체 소자를 열처리하는 공정부를 포함하는 열처리 장치로서, 상기 공정부는, 상기 반도체 소자를 지지하는 지지부, 고주파 전원, 및 상기 반도체 소자의 반도체 - 금속 접점을 선택적으로 유도가열시킬 수 있도록 상기 고주파 전원에 연결된 코일을 포함한다. 본 발명에 따르면, 문턱전압 변화 등의 채널 영역의 특성 변화없이 반도체 - 금속 접점의 접촉 특성만 개선할 수 있고, 종래에 사용되던 진공 챔버 가열 방식에 비해 시간과 비용을 줄일 수 있으며 진공 시스템이 필요 없으므로 장치의 유지, 보수가 간단하다.
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관련 특허
| 특허명 | 출원일 | ||
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