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질화물계 발광소자의 제조방법
| 특허명 | 질화물계 발광소자의 제조방법 | ||
| 출원인 | 고려대학교 산학협력단|삼성전기주식회사 | 출원일 | 2006년 6월 22일 |
| 공개일 | None | 공고일 | 2007년 9월 6일 |
| 요약 |
질화물계 발광소자의 제조방법이 개시된다. 본 발명에 따르는 질화물계 발광소자의 제조방법은 n형 반도체층과 p형 반도체층을 포함하는 질화물계 발광체층을 형성하는 단계; 상기 질화물계 발광체층의 상부에 광투과율이 85% 이상인 투명도전층을 형성하는 단계; 상기 투명도전층의 표면을 산도(pH) 6 내지 6.5인 산성용액으로 습식에칭처리하여 표면에 직경이 250 내지 1000 ㎚인 복수개의 돌출부를 형성하는 단계; 및 상기 복수개의 돌출부를 결정화하기 위하여 열처리하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 것으로서, 별도의 마스크를 채용하지 아니하고 습식에칭처리를 통하여 나노스케일(nano-scale)로 전극 표면에 다수개의 돌출부를 형성할 수 있도록 하여, 질화물계 발광소자에서 발생되는 광(photo)이 전극 계면 산란(scattering)되어 외부발광효율이 우수한 특징이 있다.
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