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페로브스카이트 발광 소자
| 특허명 | 페로브스카이트 발광 소자 | ||
| 출원인 | 엘지디스플레이 주식회사|고려대학교 산학협력단|울산과학기술원 | 출원일 | 2018년 11월 30일 |
| 공개일 | 2020년 6월 9일 | 공고일 | - |
| 요약 |
본 발명은 페로브스카이트 발광 소자에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 종래의 정공 수송층에 포함된 PEDOT:PSS를 암모늄 계열 카운터 이온을 가지는 음이온성 공액 고분자로 대체함으로써 PEDOT:PSS에 의해 야기되는 발광 소자의 특성 저하를 방지하는 것이 가능할 뿐만 아니라, 공액 고분자를 포함하는 정공 수송층에 의한 페로브스카이트 발광층의 결함을 패시베이션하고 결정성장을 증대시키으로써 발광특성을 크게 향상시키는 것이 가능하다.
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관련 특허
| 특허명 | 출원일 | ||
|---|---|---|---|
| 발광 소자 | 2012년 3월 21일 | ||
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