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질화물 단결정의 제조 방법 및 이를 이용한 반도체 발광소자의 제조 방법
| 특허명 | 질화물 단결정의 제조 방법 및 이를 이용한 반도체 발광소자의 제조 방법 | ||
| 출원인 | 삼성엘이디 주식회사|고려대학교 산학협력단 | 출원일 | 2008년 12월 15일 |
| 공개일 | 2010년 6월 24일 | 공고일 | 2010년 10월 29일 |
| 요약 |
본 발명은 고결정질을 가지는 질화물 단결정의 제조방법 및 이를 이용한 반도체 발광소자의 제조방법에 관한 것으로, 희생층 상에 질화물 단결정 씨드를 형성하고, 상기 질화물 단결정 씨드를 중심으로 질화물 단결정을 성장시키는 것을 특징으로 한다. 이로 인하여, 고결정질의 질화물 단결정의 성장이 가능하고, 성장용 기판의 제거시 습식 식각 방법을 이용할 수 있어, 발광 효율이 우수한 반도체 발광 소자를 제조할 수 있다. 질화물 단결정 씨드, 희생층, 습식 식각, 반도체 발광 소자.
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관련 특허
| 특허명 | 출원일 | ||
|---|---|---|---|
| 질화물계 반도체 발광소자 및 그 제조방법 | 2011년 12월 13일 | ||
| 발광소자 | 2018년 5월 4일 | ||
| 발광소자 | 2020년 3월 31일 | ||
| 반도체 소자 및 제조 방법 | 2016년 5월 17일 | ||
| 전하-플라즈마 효과가 적용된 반도체 소자 및 이의 제조 방법 | 2019년 8월 5일 | ||
