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염색 분자를 이용한 제올라이트 분리막의 후처리 방법
| 특허명 | 염색 분자를 이용한 제올라이트 분리막의 후처리 방법 | ||
| 출원인 | 고려대학교 산학협력단 | 출원일 | 2018년 4월 20일 |
| 공개일 | None | 공고일 | 2019년 10월 22일 |
| 요약 |
본 발명은 제올라이트 분리막의 후처리 방법에 관한 것으로서, 결함이 있는 제올라이트 분리막을 염색 분자와 같은 상기 제올라이트 분리막의 기공보다 크고 결함보다 작은 크기의 화학물질로 처리하여 분리막 내 결함을 선택적으로 제거하는 제올라이트 분리막의 후처리 방법은 온화한 조건(상온 및 상압)에서 제올라이트 분리막의 후처리를 수행함으로써 제올라이트 분리막의 결함만을 선택적으로 제거하고 제올라이트 분리막의 성능을 향상시키며, 특히 건조 조건에서 높은 분리계수를 갖는 고성능의 분리막을 구현할 수 있는 효과가 있다.
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| 특허명 | 출원일 | ||
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