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나노 임프린트 리소그래피 공정을 이용한 광전자 소자 제조 방법
| 특허명 | 나노 임프린트 리소그래피 공정을 이용한 광전자 소자 제조 방법 | ||
| 출원인 | 고려대학교 산학협력단 | 출원일 | 2009년 6월 11일 |
| 공개일 | 2010년 12월 21일 | 공고일 | 2011년 10월 24일 |
| 요약 |
나노 임프린트 리소그래피법을 이용하여 광 효율을 높일 수 있는 광전자 소자 제조 방법에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 광전자 소자 제조 방법은 (a) 투명 기판 상에, 상기 투명 기판과의 굴절률 차이가 0.4 이내인 전구체를 포함하는 졸 솔루션(sol solution)을 도포하는 단계; (b) 표면에 나노 패턴이 형성된 스탬프를 이용하여, 나노 임프린트 리소그래피(nano imprint lithography)법으로 상기 스탬프에 형성된 패턴을 상기 투명 기판 상의 졸 솔루션에 전사하면서, 상기 졸 솔루션을 겔 솔루션(gel)으로 변화시키는 단계; 및 (c) 상기 겔 솔루션을 어닐링(annealing)하여 다결정(poly-crystal) 광산란층을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
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| 특허명 | 출원일 | ||
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